参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Not Recommended |
Objectid | 145286076012 |
Reach Compliance Code | compliant |
YTEOL | 3 |
备用内存宽度 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.25 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 5.29 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
编程电压 | 2.7 V |
座面最大高度 | 2.16 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 1e-7 A |
最大压摆率 | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 5.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |