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AT93C66W-10SI-1.8
存储 > EEPROM

AT93C66W-10SI-1.8

Microchip Technology Inc
EEPROM
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 145286076012
Reach Compliance Code compliant
YTEOL 3
备用内存宽度 8
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
长度 5.29 mm
内存密度 4096 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 8
字数 256 words
字数代码 256
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 256X16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
编程电压 2.7 V
座面最大高度 2.16 mm
串行总线类型 MICROWIRE
最大待机电流 1e-7 A
最大压摆率 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.7 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 5.24 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms
参数规格与技术文档
Microchip Technology Inc
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