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AN0120N
晶体管 > 功率场效应晶体管

AN0120N

Telcom Semiconductor Inc
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 101452492
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.83
YTEOL 0
最大漏极电流 (ID) 0.03 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 85 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.64 W
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
参数规格与技术文档
Telcom Semiconductor Inc
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