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AM54BDS128AGTC8IS
存储 > 其他内存集成电路

AM54BDS128AGTC8IS

AMD
Memory Circuit, Flash+SRAM, 8MX16, CMOS, PBGA93, 10 X 10 MM, FPBGA-93
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.42
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1960020178
零件包装代码 BGA
包装说明 LFBGA, BGA93,10X12,32
针数 93
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.71
风险等级 7.42
最长访问时间 85 ns
其他特性 SRAM IS ORGANISED AS 1M X 16
JESD-30 代码 S-PBGA-B93
长度 10 mm
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16
混合内存类型 FLASH+SRAM
功能数量 1
端子数量 93
字数 8388608 words
字数代码 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 8MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA
封装等效代码 BGA93,10X12,32
封装形状 SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm
最大待机电流 0.000015 A
最大压摆率 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 10 mm
参数规格与技术文档
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