参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1985367508 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 8 X 11.60 MM, FBGA-73 |
针数 | 73 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 8.8 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 75 ns |
其他特性 | PSEUDO SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 2M X 16 FLASH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B73 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 11.6 mm |
内存密度 | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | FLASH+PSRAM |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 73 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 4MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA |
封装等效代码 | BGA73,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大待机电流 | 0.00006 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 8 mm |