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AAA1M102J-12
存储 > SRAM

AAA1M102J-12

NMB Technologies Corporation
Static Column DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDSO20
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
91
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 101065364
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.83
YTEOL 0
最长访问时间 120 ns
I/O 类型 SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 1
端子数量 20
字数 1048576 words
字数代码 1000000
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX1
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 512
最大待机电流 0.002 A
最大压摆率 0.065 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
NMB Technologies Corporation
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