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74F219AD
存储 > SRAM

74F219AD

NXP Semiconductors
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO16, Static RAM
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.38
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 74F219AD
生命周期 Obsolete
Objectid 1422281434
包装说明 SOP,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.38
YTEOL 0
最长访问时间 8 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G16
内存密度 64 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 16
字数 16 words
字数代码 16
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 16X4
输出特性 3-STATE
可输出 NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 TTL
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
NXP Semiconductors
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