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71V3558S133PF8
存储 > SRAM

71V3558S133PF8

Integrated Device Technology Inc
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.13
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 71V3558S133PF8
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1774328605
零件包装代码 QFP
包装说明 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数 100
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 9.13
YTEOL 0
最长访问时间 4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0
长度 20 mm
内存密度 4718592 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM
内存宽度 18
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 100
字数 262144 words
字数代码 256000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 256KX18
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm
最大待机电流 0.04 A
最小待机电流 3.14 V
最大压摆率 0.3 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子节距 0.65 mm
端子位置 QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20
宽度 14 mm
参数规格与技术文档
Integrated Device Technology Inc
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