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71V124SA10Y
存储 > SRAM

71V124SA10Y

Integrated Device Technology Inc
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥36.9028
市场总库存:
1,467
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.85
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 71V124SA10Y
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1774328398
零件包装代码 SOJ
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数 32
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 8.85
YTEOL 0
最长访问时间 10 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J32
JESD-609代码 e0
长度 20.955 mm
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 32
字数 131072 words
字数代码 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 128KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ32,.44
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 3.683 mm
最大待机电流 0.01 A
最小待机电流 3.15 V
最大压摆率 0.145 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
宽度 10.16 mm
参数规格与技术文档
Integrated Device Technology Inc
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