参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | 5962-8685917LA |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1420828474 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | 0.300 INCH, CERDIP-24 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 8.88 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 32.004 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 16KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.001 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.115 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 7.62 mm |