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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1536404313 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 9.83 |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T32 |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 页面大小 | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
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苏公网安备 32059002001873号