参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1515342623 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 9.8 |
YTEOL | 0 |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010MMMR |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T8 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 8 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |