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54ACT725DM
存储 > FIFO

54ACT725DM

Fairchild Semiconductor Corporation
FIFO, 512X9, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 54ACT725DM
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1438152812
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP, DIP28,.6
针数 28
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.71
风险等级 9.83
YTEOL 0
周期时间 28.5 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T28
JESD-609代码 e0
内存密度 4608 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO
内存宽度 9
功能数量 1
端子数量 28
字数 512 words
字数代码 512
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 512X9
可输出 NO
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大待机电流 0.01 A
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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