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54ACT708DM
存储 > FIFO

54ACT708DM

Rochester Electronics LLC
FIFO, 64X9, 38ns, Synchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.48
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8143500124
包装说明 DIP,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.71
风险等级 7.48
YTEOL 4
最长访问时间 38 ns
周期时间 33.3 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T28
JESD-609代码 e0
内存密度 576 bit
内存宽度 9
功能数量 1
端子数量 28
字数 64 words
字数代码 64
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 64X9
可输出 YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Rochester Electronics LLC
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