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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 54ACT2708DMQR |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1435991077 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
| 风险等级 | 9.83 |
| YTEOL | 0 |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64X9 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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苏公网安备 32059002001873号