参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | 2SK2986(2-10S2B) |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1478193185 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 9.82 |
YTEOL | 0 |
雪崩能效等级(Eas) | 525 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 55 A |
最大漏源导通电阻 | 0.01 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 100 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 280 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |