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2SK2973
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

2SK2973

Mitsubishi Electric
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.43
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1456123074
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.43
YTEOL 0
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 13 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Mitsubishi Electric
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