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2SK2958(S)TR
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK2958(S)TR

Renesas Electronics Corporation
75A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.58
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK2958(S)TR
生命周期 Transferred
Objectid 1982521332
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.58
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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