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2SK2786-11-C
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SK2786-11-C

Mitsubishi Electric
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1440596896
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.49
YTEOL 0
其他特性 LOW NOISE
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.02 A
FET 技术 JUNCTION
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Mitsubishi Electric
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