晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK2519-01

Fuji Electric Co Ltd

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.48

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 94 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
STMicroelectronics 38 个替代料
Renesas Electronics Corporation 3 个替代料
Fuji Electric Co Ltd 21 个替代料
NTE Electronics Inc 1 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 1 个替代料
International Rectifier 1 个替代料
SY Sinyork Co Ltd 1 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 22 个替代料
Infineon Technologies AG 2 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 1 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 1 个替代料
Semiconductor Technology Inc 1 个替代料

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