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2SK2463T100
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK2463T100

ROHM Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥45.7862
市场总库存:
895
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
9.13
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1437146790
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.13
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On 2021-11-06 14:34:22
YTEOL 3
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 2 A
最大漏源导通电阻 0.58 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
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