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2SK2460N

ROHM Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-200FN, 3 PIN

数据手册:

下载: 2SK2460N

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.61

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 96 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 14 个替代料
NXP Semiconductors 7 个替代料
International Rectifier 3 个替代料
STMicroelectronics 7 个替代料
IXYS Corporation 1 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 7 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 2 个替代料
Renesas Electronics Corporation 40 个替代料
Infineon Technologies AG 6 个替代料
Samsung Semiconductor 1 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 1 个替代料
Powerex Power Semiconductors 2 个替代料
Advanced Power Technology 1 个替代料
Panasonic Electronic Components 1 个替代料
Advanced Power Electronics Corp 2 个替代料
LRC Leshan Radio Co Ltd 1 个替代料

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