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2SK238-K17
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

2SK238-K17

Renesas Electronics Corporation
RF SMALL SIGNAL, FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.81
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK238-K17
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1496670906
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.95
风险等级 9.81
YTEOL 0
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.01 A
FET 技术 JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 0.25 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
最高工作温度 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.15 W
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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