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2SK2072-01L
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK2072-01L

Fuji Electric Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.48
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1447888969
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.48
YTEOL 0
其他特性 AVALANCHE RATED
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (ID) 6 A
最大漏源导通电阻 2.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 80 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 200 ns
最大开启时间(吨) 80 ns
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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