晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK1988

NEC Electronics Group

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

下载: 2SK1988

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.49

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 2 个替代料
Renesas Electronics Corporation 1 个替代料
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd 1 个替代料

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