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2SJ653
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SJ653

Rochester Electronics LLC
37A, 60V, 0.037ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220ML, FULL PACK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥24.8822
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1380029864
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 TO-220ML, FULL PACK-3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
风险等级 7
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 37 A
最大漏源导通电阻 0.037 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 148 A
认证状态 COMMERCIAL
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Rochester Electronics LLC
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