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2SJ601-Z
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SJ601-Z

NEC Electronics America Inc
Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.72
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1647659378
包装说明 TO-252, MP-3Z, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.72
YTEOL 0
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 36 A
最大漏源导通电阻 0.03 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 230 pF
JEDEC-95代码 TO-252AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NEC Electronics America Inc
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