晶体管 > 功率场效应晶体管

2SJ468

SANYO Electric Co Ltd

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.17ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, 1.60 MM HEIGHT, SOP-8

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.49

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 117 个替代料
Infineon Technologies AG 15 个替代料
onsemi 8 个替代料
Diodes Incorporated 2 个替代料
Renesas Electronics Corporation 16 个替代料
ROHM Semiconductor 1 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 1 个替代料
Vishay Intertechnologies 1 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 30 个替代料
International Rectifier 5 个替代料
STMicroelectronics 2 个替代料
Harris Semiconductor 3 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 13 个替代料
Texas Instruments 1 个替代料
Lite-On Semiconductor Corporation 1 个替代料
NXP Semiconductors 4 个替代料
Advanced Power Electronics Corp 1 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 5 个替代料
National Semiconductor Corporation 2 个替代料
Taiwan Semiconductor 2 个替代料
SANYO Semiconductor Co Ltd 1 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
Supertex Inc 1 个替代料
Intersil Corporation 1 个替代料

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