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2SJ357
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SJ357

Renesas Electronics Corporation
3000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.16
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SJ357
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1800796938
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.16
YTEOL 0
其他特性 ESD PROTECTED
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 3 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
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