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2SJ357-AZ
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SJ357-AZ

NEC Electronics Group
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.62
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1628668175
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.62
其他特性 ESD PROTECTED
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 3 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NEC Electronics Group
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