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2SJ315(2-7B1B)
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SJ315(2-7B1B)

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.33
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SJ315(2-7B1B)
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 1484443694
零件包装代码 SC-64
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.33
YTEOL 5.1
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 5 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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