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2SJ313-O
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SJ313-O

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.44
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SJ313O
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 1061533980
零件包装代码 SC-67
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.44
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 180 V
最大漏极电流 (ID) 1 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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