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2SC2714-RTE85R
晶体管 > 射频小信号双极晶体管

2SC2714-RTE85R

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.28
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SC2714-RTE85R
生命周期 Obsolete
Objectid 1414804178
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.28
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 0.02 A
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
最小功率增益 (Gp) 17 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 550 MHz
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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