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2N7002E-T1-GE3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002E-T1-GE3

Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.7351
市场总库存:
493,284
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
8.25
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 2005078743
包装说明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 9 weeks
风险等级 8.25
Samacsys Description N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2024-04-04 04:01:50
YTEOL 3
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.24 A
最大漏源导通电阻 3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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