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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  含铅 |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1379992115 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 6.8 |
| 其他特性 | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-205AF |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号