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2N6760
晶体管 > 功率场效应晶体管

2N6760

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.28
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1414097438
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 8.28
YTEOL 0
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 400 V
最大漏极电流 (ID) 5.5 A
最大漏源导通电阻 1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 75 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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