参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 1077781398 |
零件包装代码 | BCY |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 6.71 |
YTEOL | 6.05 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.99 A |
最大漏源导通电阻 | 3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 10 pF |
JEDEC-95代码 | TO-205AD |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 6.25 W |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |