晶体管 > 功率场效应晶体管

2N6660-2

Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

下载: 2N6660-2

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.8

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料价格 & 库存

替代料

全部厂商 81 个替代料
Solitron Devices Inc 8 个替代料
Microchip Technology Inc 4 个替代料
Universal Semiconductor Inc 2 个替代料
Intersil Corporation 12 个替代料
Supertex Inc 29 个替代料
Zetex / Diodes Inc 3 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 2 个替代料
STMicroelectronics 1 个替代料
Omnirel Corp 6 个替代料
NXP Semiconductors 1 个替代料
International Rectifier 5 个替代料
Vishay Intertechnologies 1 个替代料
Diodes Incorporated 1 个替代料
Thomson Consumer Electronics 6 个替代料

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