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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 1455419760 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
| 风险等级 | 7.79 |
| Samacsys Description | JFET N-Channel -40V Low Noise, TO-18 |
| Samacsys Manufacturer | InterFET |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 外壳连接 | GATE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大漏源导通电阻 | 60 Ω |
| FET 技术 | JUNCTION |
| JEDEC-95代码 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 1.8 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.36 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号