参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 8201228449 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 7.54 |
YTEOL | 4 |
最长访问时间 | 25 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
长度 | 19.05 mm |
内存密度 | 64 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 16 |
字数 | 16 words |
字数代码 | 16 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 75 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16X4 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最小待机电流 | 4.75 V |
最大压摆率 | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 7.62 mm |