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1N5442BCHIP
二极管 > 变容二极管

1N5442BCHIP

Msi Electronics Inc
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.3
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1404843394
包装说明 X-XUUC-N
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.40
风险等级 9.3
YTEOL 0
其他特性 GOOD Q
最小击穿电压 30 V
配置 SINGLE
二极管电容容差 5%
最小二极管电容比 2.5
标称二极管电容 8.2 pF
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带 VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码 X-XUUC-N
元件数量 1
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP
认证状态 Not Qualified
最小质量因数 450
最大重复峰值反向电压 30 V
最大反向电流 2e-8 µA
反向测试电压 25 V
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
变容二极管分类 ABRUPT
参数规格与技术文档
Msi Electronics Inc
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