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1N4789CO
二极管 > 变容二极管

1N4789CO

Cobham Semiconductor Solutions
Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 28V, Silicon, DIE-1
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1811267361
零件包装代码 DIE
包装说明 X-XUUC-N
针数 1
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.40
风险等级 8.47
YTEOL 0
最小击穿电压 28 V
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管电容容差 20%
最小二极管电容比 2.1882
标称二极管电容 12 pF
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 X-XUUC-N
JESD-609代码 e0
元件数量 1
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
最小质量因数 15
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
变容二极管分类 ABRUPT
参数规格与技术文档
Cobham Semiconductor Solutions
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