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VS-20ETF08STRL-M3
二极管 > 整流二极管

VS-20ETF08STRL-M3

Vishay Intertechnologies
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.17
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1833782992
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
Factory Lead Time 18 weeks
风险等级 7.17
YTEOL 6.62
其他特性 FREE WHEELING DIODE
应用 FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.31 V
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
最大非重复峰值正向电流 355 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -40 °C
最大输出电流 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
最大重复峰值反向电压 800 V
最大反向电流 100 µA
最大反向恢复时间 0.4 µs
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
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