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VG2617405J-6
存储 > DRAM

VG2617405J-6

Vanguard International Semiconductor Corporation
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1963672235
零件包装代码 SOJ
包装说明 SOJ, SOJ24/26,.34
针数 24
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0
长度 17.15 mm
内存密度 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 24
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 4MX4
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ24/26,.34
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 2048
座面最大高度 3.76 mm
自我刷新 NO
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
Vanguard International Semiconductor Corporation
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