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V917465B24QAFW-E4
存储 > DRAM

V917465B24QAFW-E4

ProMOS Technologies Inc
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.71
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1663032625
零件包装代码 MODULE
包装说明 ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
针数 200
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 7.71
YTEOL 2
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N200
JESD-609代码 e4
内存密度 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 200
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS
组织 64MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
端子面层 GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
ProMOS Technologies Inc
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