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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8187480045 |
| 包装说明 | DIMM, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.36 |
| 风险等级 | 2.35 |
| YTEOL | 5.35 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N204 |
| 内存密度 | 68719476736 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR3 DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 204 |
| 字数 | 1073741824 words |
| 字数代码 | 1000000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1GX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM204,24 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 刷新周期 | 8192 |
| 自我刷新 | NO |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.28 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.35 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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苏公网安备 32059002001873号