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T-IXTD8P50
晶体管 > 功率场效应晶体管

T-IXTD8P50

IXYS Corporation
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1436911273
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.49
YTEOL 0
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏源导通电阻 1.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XUUC-N2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
IXYS Corporation
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