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STK2N60{SOT-194}
晶体管 > 功率场效应晶体管

STK2N60{SOT-194}

STMicroelectronics
1.7A, 600V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STK2N60{SOT-194}
生命周期 Obsolete
Objectid 1407137143
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.46
YTEOL 0
雪崩能效等级(Eas) 15 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 1.7 A
最大漏源导通电阻 8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 40 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 6.8 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大开启时间(吨) 97 ns
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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