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SST113TT1
晶体管 > 小信号场效应晶体管

SST113TT1

Atmel Corporation
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1438636078
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.53
YTEOL 0
其他特性 LOW INSERTION LOSS
配置 SINGLE
最大漏源导通电阻 100 Ω
FET 技术 JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 5 pF
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Atmel Corporation
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