参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1480606036 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 9.35 |
YTEOL | 0 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 7 A |
最大漏源导通电阻 | 2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 28 A |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | CECC |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |