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SM8T26AH
二极管 > 瞬态抑制器

SM8T26AH

Trans Voltage Suppressor Diode, 8000W, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.71
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 145508836559
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
Factory Lead Time 12 weeks
风险等级 7.71
Samacsys Description SM8T AUTO, 26V
Samacsys Manufacturer Eaton
Samacsys Modified On 2023-10-04 11:37:36
YTEOL 7.98
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, PD-CASE
最大击穿电压 31.9 V
最小击穿电压 28.9 V
击穿电压标称值 30.4 V
最大钳位电压 42.1 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-218AB
JESD-30 代码 R-PSSO-C1
最大非重复峰值反向功率耗散 8000 W
元件数量 1
端子数量 1
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 8.5 W
参考标准 AEC-Q101; ISO16750-2
最大重复峰值反向电压 26 V
最大反向电流 5 µA
反向测试电压 26 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子形式 C BEND
端子位置 SINGLE
参数规格与技术文档
Eaton Corporation
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